前言

        22年，世界上光電功率器件的技術芯片功率器件服務業發展前景終局持續高增漲，進行更改生長期。與此制定對比性，在新再生資源汽車汽車、光伏發電、儲熱等需求量的的提升下，三、代光電功率器件的技術芯片功率器件服務業發展前景保持良好飛速發展前景，世界上化供應商鏈安全機制稍后制定，惡性之間的競爭為主的格局慢慢的制定，服務業發展前景初進迅速增長期。而中國大陸三、代光電功率器件的技術芯片功率器件服務業發展前景經過慢慢的時候生產能利用率力推進和產線規劃，國廠三、代光電功率器件的技術芯片功率器件設備會相繼建設實現目標并經過確認，的技術奮力的的提升，生產能利用率力頻頻移除，國廠氫氟酸處理硅(SiC）功率器件及傳感器慢慢“上機”，園林安全機制越來越加強制度建設，自己可控制業務能力頻頻明顯增強，一體化惡性之間的競爭能力進一步的的提升。

1、產能釋放，第三代半導體產業即將進入”戰國時代”

       《2022三是代半導體芯片技術器件材料產業的發展發展市面研究報告》凸顯，2023年在國內三是代半導體芯片技術器件材料瓦數智能和紅外光rf頻射兩大方向實現目標總總值141.7億元人民幣，較202半年成長11.7%，擴產連續不斷移除。這里面，SiC擴產成長上漲，GaN擴產成長超30%，新批加盟擴產工作方案較202半年同比發展率成長36.7%。一并，時間推移智能氣車市面短時間成長，光伏太陽能、儲電所需擴大，2023年在國內三是代半導體芯片技術器件材料瓦數智能和紅外光rf頻射市面總企業規模高于194.10億元人民幣，較202半年成長34.5%。這里面，瓦數半導體芯片技術器件材料市面高于105.五億元人民幣，紅外光rf頻射市面約88.六億元人民幣。

        保守估計，2025年將是第四代半導體設備獨樹一幟的一整年，市面將論證一款“技術性迅猛發展、財產迅猛上漲、空間布局大大轉變”的“東漢冠美”。

2、SiC、GaN功率器件成為支撐電子信息技術發展的生力軍

        作為新一代半導體材料，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有傳統Si材料無可比擬的優勢，其禁帶寬度是Si的3倍左右，擊穿場強約為Si的10倍，功率高、載流子遷移率高、飽和電子速度快、耐高溫高壓、高能效、低損耗等優異特性，滿足高電壓、高頻率場景。

        從新能源汽車到光伏儲能，從軌道交通到移動電源，從數據中心到通訊基站，基于第三代寬禁帶半導體材料的功率器件發揮著關鍵作用。功率半導體器件是電力電子技術發展的重要組成部分，是電力電子裝置實現電能轉換、電源管理的核心器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉換和管理等，兼具節能功效。尤其是在目前技術競爭和節能環保的大環境下，第三代半導體已經成為全球大國博弈的焦點。

        再者，其次代寬禁帶半導體技術原材料原材料的探究也力促著LED燈光加工業化的快速發展進步，從Mini-LED到Micro-LED，一直應響半導體技術原材料燈光加工業化，同時還在大瓦數繳光器、紫外線臭氧消毒/監測業務領域表現側重點要的角色。

3、SiC、GaN布局提速，功率器件靜態參數測試如何破局？

        階段，耗油率半導體芯片行業元配件設備器材餐飲市場呈顯現出出集成系統化和電源組件化、高能力和高是真的嗎性、多電平水平、新器材型式和工藝技術、智能物聯化和可規則化等經濟發展進步現象和經濟發展進步方法。耗油率半導體芯片行業元配件設備器材是應該用于嚴厲環保下的高耗油率體積器材，對器材是真的嗎性需求位居所有半導體芯片行業元配件設備器材的前某。所以，對器材會員精準營銷的能力測驗需求、滿足適用場所的是真的嗎性測驗要求同時精確的出現異常闡述策略將管用的上升耗油率半導體芯片行業元配件設備器材設備的能力及是真的嗎性表演。

        不同材料、不同技術的功率器件的性能差異很大。市面上傳統的測量技術或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求。但是寬禁帶半導體器件碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的技術卻極大擴展了高壓、高速的分布區間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰。

4、基于國產化數字源表的SiC/GaN功率半導體器件靜態參數測試解決方案

        靜態參數主要是指本身固有的，與其工作條件無關的相關參數。靜態參數測試又叫穩態或者DC（直流）狀態測試，施加激勵(電壓/電流)到穩定狀態后再進行的測試。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉移電容、輸出電容)，以及以上參數的相關特性曲線的測試。

        圍繞第三代寬禁帶半導體靜態參數測試中的常見問題，如掃描模式對SiC MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對SiC MOSFET 導通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導通壓降測試的影響、線路等效電容對SiC MOSFET測試的影響等多個維度，針對測試中存在的測不準、測不全、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表提供一種基于國產化高精度數字源表(SMU)的測試方案，具備更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

①P300高精度脈沖源表

- 脈沖直流，簡單易用

- 范疇廣，高至300V低至1pA- 最窄激光脈沖總寬200μs- 精準度為0.1%

②E系列高電壓源測單元

- ms級上升沿和下降沿

- 單臺明顯3500V額定電壓讀取(可發展10kV)- 測定電流值低至1nA- 精確性度為0.1%

③HCPL 100高電流脈沖電源

- 打出直流電壓達1000A- 兩臺并接達到6000A- 50μs-500μs的單脈沖屏幕寬度匹配可調節- 脈沖發生器邊沿陡(先進典型精力15us)- 雙路同歩衡量電阻(0.3mV-18V)

        而GaN HEMT器件主要工作于大功率、高效率的微波毫米電路中，其機理相對更為復雜，主要體現在器件陷阱效應和自熱效應中。GaN HEMT器件的陷阱效應會引起柵和漏滯后效應，不利于建模工作和器件射頻應用；而自熱效應主要體現在脈寬對GaN HEMT器件測試的影響。因此，針對氮化鎵(GaN)包括砷化鎵(GaAs)等材料構成的高速器件的I-V測試，普賽斯儀表全新推出的CP系列脈沖恒壓源可以高效快速解決測試難題。

①CP系列脈沖恒壓源

         

- 直流電源/脈沖造成的不同額定電壓傷害形式 - 大激光脈沖電壓，更高可至10A- 超窄脈寬，低至100ns- 插卡式制作，1CH/插卡，最好的支持10安全通道

        普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。

*大部分商品圖片來原：面向社會基本資料收集整理

*那部分姿料特征：國內 國家經濟時報《東北地區第二代半導體設備產業鏈總的進來增長期》郭錦輝

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