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PMDT功率器件動態參數測試系統

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       PMDT輸出熱效率集成電路原理芯片動態圖圖片性能指標檢驗系統性都是款用于MOSFET、IGBT、SiC   MOS等集成電路原理芯片的動態圖圖片性能指標檢驗,就能防護快速的檢驗輸出熱效率集成電路原理芯片的觸點開關如何延時和衰減,分析評估集成電路原理芯片的防護辦公區,對集成電路原理芯片和驅動安裝電路原理的不導通保護性性能特點去校驗,測試輸出熱效率配置文件的雜散電感。      體統核心由雙脈沖激光衛星信號遭受器,高分數辨率示波器,高電壓感應電流溫度探頭,高電壓外接電源、母線電阻、低雜感母排、自行化測試游戲及及一起測試工裝設計組合而成。體統裝備多樣測試驅動包板,可覆蓋率旋轉打開主要參數測試、柵極自由電荷測試、短路等問題測試、雪崩測試等,每次測試就能達成旋轉打開特質及交叉恢復過來特質測試;可實時視頻保存文檔測試最終結果及弧形弧度,自行轉化測試報告模板。


產品特點

● 高電壓達2000V(最大擴展至8kV)
● 大電流達2000A(可擴展至6000A)
● 低寄生電感設計,<20nH寄生電感
● 安全防護機制,集成防爆、過流/過壓保護
● 全功能測試覆蓋,支持DPT、RBSOA、SCSOA、Qg等參數
● 自動化與智能化,負載電感自動切換
● 溫度范圍廣,可選高溫模塊(常溫~200℃)或熱流儀(-40℃~200℃)

● 兼容多種(zhong)封(feng)裝,可根據測(ce)試需求定(ding)制夾具


系統組成.png


測試項目

●  開通特性:開通延時時間td(on)、開通上升時間tr、開通時間ton、開通能量損耗E(on)、開通電壓斜率dv/dt、開通電流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs  vs.t、Ig  vs.t
●  關斷特性:關斷延時時間td(off)、關斷上升時間tf、關斷時間toff、關斷能量損耗E(off)、關斷電壓斜率dv/dt、  關斷電流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs  vs. t、Ig  vs.t
●  反向恢復特性:反向恢復時間trr、反向恢復電荷Qrr、反向恢復能量Err、最大反向恢復電流Irrm、反向恢復電壓斜率dv/dt、反向恢復電流斜率di/dt、反向恢復電流特性Id vs.t
●  短路特性:短路時間Tsc、短路飽和電流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc    
●  柵極電荷:總柵極電荷Qg、閾值柵極電荷Qgs(th)、柵源電荷Qgs、柵漏電荷Qgd、柵極申荷曲線Vgs  vs.t
●  反偏安(an)全工作區:關斷(duan)電(dian)壓尖峰VCE—peak、關斷(duan)電(dian)流尖峰lc、Vce vs.t、lc vs.t



測試夾具

對應目前市上面上差異封裝類別類別的最大功率光電器件,如IGBT、SiC、MOS等物品,普賽斯提高芭比娃娃家具檢查治具化解方案設計,都可以于T0單管,半橋模組等物品的檢查

測試夾具.png



軟件界面

軟件界面.png

產品選型

項目正向電壓負向電壓最大電流脈寬范圍
柵極0~30V-20~0V10A0.1μs~200μs
項目最大電壓最大電流短路電流
漏極/集電極2000V2000A(DPT)12kA
項目雜散電感保護響應時間工作環境溫度
系統功能
<20nH  <2us常溫~40℃


PMDT功率器件動態系統不同規格配置型號參考:

型號規格高壓差分探頭柔性電流探頭
PMDT20032000V/300A/12kA(短路)Vds(1個): 帶寬: 500MHz,差分電壓: 200X: 350V,2000X: 3500VIg(4個): 上行速率 100M,分度值 30AIc(5個): 帶寬使用 30M,滿量程 300A Icsc(一): 傳輸速率 30M,量限 12kA
PMDT20102000V/1000A/12kA(短路)Vds(1個): 帶寬: 500MHz,差分電壓: 200X:350V,2000X: 3500VIg(9個):下行帶寬 100M,滿量程 30AIc(個):傳輸速率 30M,測量范圍 1200A Icsc(7個):帶寬使用 30M,滿量程 12kA
PMDT20202000V/2000A/12kA(短路)Vds(1個): 帶寬: 500MHz,差分電壓: 200X: 350V,2000X: 3500VIg(15個): 資源帶寬 100M,示值 30AIc(15個): 上行帶寬 30M,測量范圍 3000A Icsc(3個): 帶寬的配置 30M,示值 12kA



*綜上所述外形尺寸煩請不斷更新,恕不另外消息。

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