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●   高(gao)電(dian)壓達3500V(最大擴(kuo)展至12kV)

●   大電流達6000A(多模(mo)塊并(bing)聯)

●   nA級漏電(dian)流μΩ級導通電(dian)阻

●   高精度測量0.1%

●   模塊(kuai)化配(pei)置，可添加(jia)或(huo)升級測(ce)量單元，可可以提供(gong)IV、CV、跨導(dao)等充實的功能的綜合各(ge)種測(ce)試

●   測試(shi)效率高，自動(dong)切換、一鍵測試(shi)

●   溫(wen)(wen)度范圍廣，支持常溫(wen)(wen)、高溫(wen)(wen)測試

●   兼容(rong)多種封裝，根據測試需求定制夾具

測試項目

●   二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線

●   三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

●   Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES柵極(ji)內(nei)阻Rg、輸入(ru)電(dian)容Ciss/Cies、輸出(chu)電(dian)容Coss/Coes、反向傳輸電(dian)容Crss/Cres、跨導gfs、輸出(chu)特(te)性曲線(xian)(xian)(xian)、轉移特(te)性曲線(xian)(xian)(xian)、C-V特(te)性曲線(xian)(xian)(xian)

●   光耦(四端口(kou)以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電容(rong)CT、輸出(chu)電容(rong)CCE、電流傳輸比CTR、隔(ge)離電容(rong)CIO

系統優勢

1、IGBT等大(da)功率器件由于其功率特點極(ji)易產(chan)生大(da)量熱量，施加應力(li)(li)時間長，溫(wen)度迅(xun)速上升(sheng)，嚴重時會使器件損壞(huai)，且不符合器件工作特性(xing)。普賽(sai)斯高壓變(bian)壓器引(yin)擎建立聯系的精力(li)(li)值為5ms，在測式方式中可以減少待測物(wu)加電精力(li)(li)的發熱怎么辦。

2、髙壓下(xia)(xia)漏(lou)電流(liu)(liu)的(de)(de)測(ce)試(shi)程度(du)無人能(neng)比的(de)(de)，測(ce)試(shi)合并(bing)率(lv)更為重要全國該品牌。市面上絕(jue)大多數器件(jian)的(de)(de)規(gui)格(ge)書顯示，小模塊(kuai)(kuai)在(zai)高溫測(ce)試(shi)時漏(lou)電流(liu)(liu)一般(ban)大于5mA，而車規(gui)級(ji)三相半橋高溫下(xia)(xia)漏(lou)電大于50mA。以(yi)HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規(gui)格(ge)書為例：3300V，125℃測(ce)試(shi)條件(jian)下(xia)(xia)ICES典型值14mA，最(zui)大40mA。普賽斯靜態系統高壓模塊(kuai)(kuai)測(ce)試(shi)幾(ji)乎可以(yi)完美(mei)應對所(suo)有類型器件(jian)的(de)(de)漏(lou)電流(liu)(liu)測(ce)試(shi)需(xu)求。

PMST工率電子元器件空態平臺有差異要求運行環境產品型號參閱：