集成電路測試貫穿了從設計、生產到實際應用的全過程,大致分為:
- 制作階段性的制作認可試驗- 晶圓制造出過程的技藝監控視頻測評- 裝封前的晶圓考試- 封裝后的原材料檢驗芯片測試應用現狀
芯片測試作為芯片設計、生產、封裝、測試流程中的重要步驟,是使用特定儀器,通過對待測器件DUT(Device Under Test)的檢測,區別缺陷、驗證器件是否符合設計目標、分離器件好壞的過程。其中直流參數測試是檢驗芯片電性能的重要手段之一,常用的測試方法是FIMV(加電流測電壓)及FVMI(加電阻測電壓電流)。
中國傳統的集成塊電穩定性處理檢查需用數臺儀器智能設備來完成,如瞬時電流電壓源、瞬時電流源、萬用表等,可是由數臺儀器智能設備組成的的設備需用各來程序設計、同時、相連接、測定和定量分析,具體步驟較為很復雜又耗資,又損壞過高檢查臺的辦公空間,同時還動用單一化的用途的儀器智能設備和團隊激勵源還有著較為很復雜的共同間促發操作流程,有較大的不判斷性及比較慢的輸送線輸送加速度等瑕疵,是沒辦法要求速率高率檢查的具體需求。實施芯片電性能測試的最佳工具之一是數碼源表(SMU),數字源表可作為獨立的恒壓源或恒流源、電壓表、電流表和電子負載,支持四象限功能,可提供恒流測壓及恒壓測流功能,可簡化芯片電性能測試方案。
此外,由于芯片的規模和種類迅速增加,很多通用型測試設備雖然能夠覆蓋多種被測對象的測試需求,但受接口容量和測試軟件運行模式的限制,無法同時對多個被測器件(DUT)進行測試,因此規模化的測試效率極低。特別是在生產和老化測試時,往往要求在同一時間內完成對多個DUT的測試,或者在單個DUT上異步或者同步地運行多個測試任務。
基于普賽斯CS系列多通道插卡式數字源表搭建的測試平臺,可進行多路供電及電參數的并行測試,高效、精確地對芯片進行電性能測試和測試數據的自動化處理。主機采用10插卡/3插卡結構,背板總線帶寬高達 3Gbps,支持 16 路觸發總線,滿足多卡設備高速率通信需求;匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,具有通道密度高、同步觸發功能強、多設備組合效率高等特點,最高可擴展至40通道。
圖1:普賽斯CS系列作品插卡式源表
(10插卡及3插卡,高至40路通道)
基于數字源表SMU的芯片測試方案
施用普賽斯數碼源表使用集成塊的開出現短路測式(Open/Short Test)、漏電流測式(Leakage Test)各種DC技術指標測式(DC Parameters Test)。1、開短路測試(O/S測試)
開發生故障軟件測量(Open-Short Test,也稱連著性或觸及軟件測量),適用于核實軟件測量系統與元器很多引腳的電觸及性,軟件測量的具體步驟是出借對地防護穩壓管對其進行的,軟件測量對接電路板下面提示:圖2:開短路故障考試輸電線路銜接示圖
2、漏電流測試
漏電流考試儀,叫作為Leakage Test,漏電流考試儀的具體目的具體是質量檢驗讀取Pin腳及高阻壯態下的傳輸Pin腳的輸出阻抗可不可以夠高,考試儀相連接三極管以下隨時:圖3:漏電流檢測層面進行連接展示
3、DC參數測試
DC規格的測式,基本上幾乎都是Force電壓值測式電阻值值還Force電阻值值測式電壓值,關鍵是測式電位差性。基本上各種類型DC規格還會在Datasheet內部不標,測式的關鍵原因是事關單片機芯片的DC規格值適用實驗室管理標準:圖4:DC技術參數測試英文高壓線路相連接圖示
測試案例
測試儀系統軟件設備
Case 01 NCP1377B 開短路測試
各種自測 PIN 腳與 GND 中間聯接模式,各種自測流程中SMU使用3V分度值,施用-100μA電流大小,限壓-3V,測量相電流值的最后表 1 如圖,相電流值的最后在-1.5~-0.2 中間,各種自測的最后 PASS。*測驗方式連結根據圖2
圖5:NCP1377B開不導通測試儀結果顯示
Case 02 TLP521 光電耦合器直流參數測試
光電科技交叉耦合器重點由好幾部好友分組成:光的釋放端及光的發送到入端。光的釋放端重點由出現發亮肖特基電感形成,肖特基電感的管腳為光耦的復制粘貼端。光的發送到入端重點是光敏多尖晶石管, 光敏多尖晶石管是采取 PN 結在增加逆向電阻值時,在采光光照下逆向電阻值由大變小的的原理來任務的,多尖晶石管的管腳為光耦的輸入輸出端。 經典案例做幾臺SMU做檢查,一架SMU與元件讀取端相拼接,做恒流源安裝驅動發光字整流二極管并側量讀取端相應的數據,另個架SMU與元件輸入端相拼接,做恒壓源并側量輸入web端相應的數據。*測評層面相連對比圖4
圖6:BVECO 檢測大數據及曲線擬合
圖7:ICEO測試英文數據報告及的曲線
圖8:發送性能曲線圖
圖9:傷害功能的身材曲線