盛夏已過，初秋開場

11月的持續高溫依然以未不散生話也免滿足被紛繁的上班鎮魂

直流電大工率(6500V/3000A)IGBT自測難？伴逐漸創業項目業務需求急、神器任務重、請求高工程建筑師們壓山大...

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1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

隨著SiC與Si的特點的不同的，SiC MOSFET的閥值電阻值含有忽高忽低明確，在電子元件檢查做法過程中 中閥值電阻值就有特別漂移，使得其電耐熱性檢查做法還有低溫柵偏沖擊試驗后的電檢查做法然而厲害依賴關系于檢查做法先決條件。因閥值電阻值的確切檢查做法，法規信得過性檢查做法做法有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通電阻值 RDSon為影向電子元器件上班時導通耗損的一根本特征英文性能，其標值會隨 VGS 包括T的轉化而變動。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流保護還可以將電阻甚至電流大小局限性在SOA區域中，應對元器件封裝損毀或炸管。

各種測試情況：800V 恒壓 10μA 限流

測試測試的條件：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）感應電流檢側電路系統將提供導通端電壓估測精密度；? SOCKET與PIN觸及熱敏電阻功率、檢查引線導通熱敏電阻功率。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，功率波形參數振蕩器；? 線路圖等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 常見的同軸纜線的等效電阻與DUT并接，SMU測試軟件時上升時、穩定的時刻長；? 三同軸電線電纜等效濾波電容近乎為0。

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