前言

        漸漸全.球社會程度的增強和專業學探析的堅持問題導向，專業學測量儀器成為了其它發展國內家和東南部科學公司、髙校和中小中小型企業公司必不要少的的工具。收益于全.球第二代半導體技術產業化跑馬圈地擴大生產量，公測設施主設備域雖為坐享各種需求基金分紅，持續時間熱賣。近兩余載，國內內地外更多中小中小型企業公司運動經常，關鍵性節點的公測設施主設備不在被個別中小中小型企業公司專賣，業全.球化的進程凸顯變快，國內的市場公測設施主設備的產的化率也在逐漸增強。

        致力于第二代半導體行業行業材料的檢查儀要求，廣州普賽斯去創新創立SiC/IGBT/GaN最大工作效率電子元元電子元器件靜態變量數據性能檢查儀完成解決辦法，為SiC和GaN電子元元電子元器件展示 靠普的檢查儀措施，實現目標最大工作效率半導體行業行業材料電子元元電子元器件靜態變量數據性能的高精密度較、高效化率檢測的和定量分析，好產品已被我國外多間出名半導體行業行業材料工廠效驗和應用。

國產測試設備出海機遇海外市場發展空間廣闊

        三、代半導體技術元配件封裝元配件封裝元配件封裝指得以SiC、GaN為代表會的半導體技術元配件封裝元配件封裝元配件封裝的原材料，與前祖孫三代半導體技術元配件封裝元配件封裝元配件封裝的原材料好于其特色是具備較寬的禁服務器帶寬度，更比較適合于做常溫、高頻、抗影響及大輸出最大工作功率的電子設備元配件封裝，因而在5G信號塔、新電動物流車、光伏太陽能、風力發電廠、高鐵動車等層面塑造多方面的運用。Yole預計，世界上SiC輸出最大工作功率半導體技術元配件封裝元配件封裝元配件封裝賣場將從2022年的115億外幣發展至202八年的64億外幣，年軟型年發展率(CAGR)將達到34%，GaN輸出最大工作功率元配件封裝賣場將從2022年的1.215億外幣發展到202八年的20億外幣，年軟型年發展率(CAGR)到達的59%。

數據資料來源于:Yole Development

        近兩載以來，發達半導體材料材料生產系統保證國陸續上升等級產品出口管控新新規，從測試儀系統的實際供給多角度來了解，全球國市面 的國內改用實際供給微弱，新新規基本要素也感受到了的高度十分重視，被觀點是全球國在半導體材料材料前沿技術“換道超車”的關鍵性機率。逐漸國內測試儀系統效能和相對穩相關性的上升，在房價和服務性的優勢的撬動下，國外投資實際供給也，慢慢增長期，APP發展空間寬闊。

        近斯，成都普賽斯IGBT冗余技術參數值檢查軟件銷往境外，并已完整產品復驗，標簽著服務性研制的全日本產化IGBT冗余技術參數值檢查機械即日起流入世界的市場。

IGBT靜態參數測試的難點與挑戰

        任何器件的制造與應用都需以測試手段作為保障，IGBT功率器件的參數測試不僅是功率器件投入商業化應用的重要環節，也是研究器件性能的重要手段。根據測試條件不同，功率器件被測參數可分為兩大類：靜態參數和動態參數。靜態參數是指器件本身固有的，與工作條件無關的相關參數，如集射極熱擊穿工作電阻V(BR)CES、飽和狀態集射極功率ICES、柵射極域值工作電阻VGE(th)、導入電解電容器（電容器器） Cies、選擇性發送電解電容器（電容器器）Cres、傳輸電解電容器（電容器器）Coes等。

         比較常見的IGBT靜態變量性能參數各種檢驗檢驗軟件各種檢驗檢驗軟件模式均基于國際該品牌，以下專用機械的各種檢驗檢驗軟件各種檢驗檢驗軟件電壓降超過3000V不低于，瞬時電流值超過1200A不低于。而我國的各個企業在低壓（>3000V）和高瞬時電流值（>1000A）IGBT功能電源模塊各種檢驗檢驗軟件各種檢驗檢驗軟件各方面與進出口量專用機械相這對于相比不小，且多見有著各種檢驗檢驗軟件各種檢驗檢驗軟件的精密度不夠用高、在線測量比率有限制的時候。這對于一下滑槽公路網用的低壓大瓦數的IGBT單管、半橋功能電源模塊，各種檢驗檢驗軟件各種檢驗檢驗軟件環境要有超過6500V/3000A，不顧是進出口量專用機械還得國產車專用機械都沒法超過各種檢驗檢驗軟件各種檢驗檢驗軟件標準。

圖:Si/SiC/GaN的賣場廣泛應用分布范圍

高電壓、大電流：普賽斯IGBT靜態參數測試解決方案

        為如何應對各業各業對IGBT的試驗方法圖片使用需要量，武漢市普賽斯同向來組成規劃、精益生產管理建設打了個款精密加工模具電壓電壓-電壓的IGBT靜止數據數據試驗方法圖片程序化，可帶來IV、CV、跨導等豐富多彩職能的綜合管理試驗方法圖片，具高計算精度、寬量測領域、輸出組件電源化來組成規劃、更好強制提升等級拓張等特點，契機全面的考慮從基礎條件馬力場效應管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體行業SiC、GaN等晶圓、集成式ic、電子元器件及輸出組件電源的靜止數據數據表現和試驗方法圖片使用需要量。程序化選取輸出組件電源化集成式的來組成規劃組成，為用戶名下一步靈巧增添或強制提升等級量測輸出組件電源帶來了無窮的便捷性和最有效的返修率，提生試驗方法圖片成功率還有產線UPH。         IGBT靜態參數規格測式方法體系支持系統可視化交互式手動擋方法方法或整合測式探針臺的一鍵方法方法，是可以在從精確測量設置成和審理到成果分析一下和參數工作管理的一部分定性分析的過程中保證 高效性和可多個的功率器件定性分析。也可與高溫度過低箱、溫度控制電源模塊等匹配在使用，符合高溫度過低測式方法業務需求。

        IGBT靜態參數測試系統主機內部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發射極，最大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至pA級漏電流；集電極-發射極，最大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；最高支持3500V(可突出至10kV)電壓輸出，且自帶漏電流測量功能。電容特性測試，包括輸入電容，輸出電容，以及反向傳輸電容測試，頻率最高支持1MHz，可靈活選配。

系統優勢/Feature

1、IGBT等大功率器件由于其功率特點極易產生大量熱量，施加應力時間長，溫度迅速上升，嚴重時會使器件損壞，且不符合器件工作特性。普賽斯超高壓引擎形成的耗時不低于5ms，在檢查的過程中要限制待測物加電耗時的發高燒。

2、高壓變壓器下漏電流的各種測試軟件工作能力出色，各種測試軟件涵蓋率好于國家廠家。市面上絕大多數器件的規格書顯示，小模塊在高溫測試時漏電流一般大于5mA，而車規級三相半橋高溫下漏電大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規格書為例：3300V，125℃測試條件下ICES典型值14mA，最大40mA。普賽斯靜態系統高壓模塊測試幾乎可以完全應對所有類型器件的漏電流測試需求。

3、除此之外，VCE(sat)各種測試是分析方法 IGBT 導通模塊損耗的主要的指標，對電源開關模塊損耗有著固定的影響到。是都要食用穩定窄脈寬電流源，脈寬持續上升沿快慢要充足快時才擴大電子元件起熱，與此同時設施設備是都要有同時取樣電流模塊。

IGBT靜態變量檢測圖片方法系統的大交流電值傳感器：50us—500us 的可以調整交流電值脈寬，升邊沿在 15us(主要值)，極大減少待測物在檢測圖片方法過程中 中的產生熱量，使檢測圖片方法結果更多更準確。下圖為 1000A 波形：

4、加快遲鈍的客制化車床夾具應對方式：強大的測試夾具解決方案對于保證操作人員安全和支持各種功率器件封裝類型極為重要。不論器件的大小或形狀如何，普賽斯均可以快速響應用戶需求，提供靈活的客制化夾具方案。夾具具有低阻抗、安裝簡單、種類豐富等特點，可用于二極管、三極管、場效應晶體管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管，模組類產品的測試。

結束語

        IGBT靜止品牌參數測試方法模式算作高科枝品牌，往昔在國家賣場上只被半數企業的撐握。亞洲半導體現代科技材料營造業的成長及最先進半導體現代科技材料營造設配享有國出口國監管的升級，對產的設配批發廠家來不但是挑戰自我也是機遇期。在未來，廣州普賽斯將充分的表現物料的現代科技和全新優勢可言，快速驅動高科枝品牌起飛運用，原本才能做到以現代科技營造更好地市場價值。